模拟集成电路重点实验室报告ISSCC 2026论文2篇
2026年2月15日至19日,第73届ISSCC(国际固态电路会议)在美国旧金山召开,模拟集成电路重点实验室作为第一署名单位在ISSCC 2026发表了2篇学术论文。国家优青唐中教授带队参加了ISSCC会议。此次入选论文展示了实验室在高精度模拟集成电路、高能效SRAM存算智能芯片领域的研究进展,相关工作介绍如下:论文一4.4 A 2.1-to-3.7ppm/°C Bandgap Voltage Reference with a Current-Domain TC Compensation and ±0.06% Inaccuracy from -40°...









